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元件参数资料
>
参数目录39965
> BSO604NS2 MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8
型号:
BSO604NS2
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
BSO604NS2 PDF
产品变化通告
Product Discontinuation 11/Aug/2008
产品目录绘图
Mosfets DSO-8
标准包装
2,500
系列
OptiMOS™
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 30µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
870pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
P-DSO-8
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
BSO604NS2-ND
BSO604NS2NT
BSO604NS2T
BSO604NS2TR
BSO604NS2XT
SP000396268
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